高分辨率測(cè)試卡10lp/mm
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高分辨率測(cè)試卡10lp/mm
產(chǎn)品編號(hào)：20211125-04
銷售廠家：固安縣雙玉儀器有限公司
當(dāng)高速電子流撞擊陽(yáng)極靶受到制動(dòng)時(shí)，電子在原子核的強(qiáng)電場(chǎng)作用下，速度的量值和方向都發(fā)生急劇的變化，一部分動(dòng)能轉(zhuǎn)化為光子的能量而輻射出去，這就是軔致輻射。
x射線管在管電壓較低的時(shí)，被靶阻擋的電子的能量不越過(guò)一定限度，只發(fā)射連續(xù)光譜的輻射。
X射線波長(zhǎng)很短不可見(jiàn)，但它照射到某些化合物時(shí)，可使物質(zhì)發(fā)生熒光(可見(jiàn)光或紫外線)，熒光的強(qiáng)弱與X射線量成正比。這種作用是X射線應(yīng)用于透是的基礎(chǔ)，利用這種熒光作用可制成熒光屏，用作透是時(shí)觀察X射線通過(guò)人體組織的影像，也可制成增感屏，用作攝影時(shí)增強(qiáng)膠片的感光量。
芯片截面
L/S寬度：3，4，5，6，7，8，9，10，15，20，25，30，35，40，45，50μum
16個(gè)Au圖被放置在8x8mm的Si芯片上。
硅芯片固定在40x30x3mm鋁上。
16個(gè)Au圖被放置在8x8mm的Si芯片上。
規(guī)格
外徑：W40xD30xT3毫米
硅基芯片尺寸8x8x0.2mm
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